| 플라즈마 원리 | ICP방식 |
| 플라즈마 가스 | 표준4계통(최대 6계통까지 가능 , 염소가스 , 불소가스 , Ar , O2 , He ) |
| 처리대상 웨이퍼 | 8인치 , 12인치 (Wafer ring 장착가능) |
| 설비치수(mm) | W 1,350 x D 2,230 x H 2,000 |
| 설비무게 | 2,100kg |
HOME>제품소개>반도체장비>Plasma Equipment- Plasma Equipment
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| 플라즈마 원리 | ICP방식 |
| 플라즈마 가스 | 표준4계통(최대 6계통까지 가능 , 염소가스 , 불소가스 , Ar , O2 , He ) |
| 처리대상 웨이퍼 | 8인치 , 12인치 (Wafer ring 장착가능) |
| 설비치수(mm) | W 1,350 x D 2,230 x H 2,000 |
| 설비무게 | 2,100kg |
